SiO2.tg

:prop G4_SILICON_DIOXIDE
  photon_energies 101 0.2*eV 0.258*eV 0.316*eV 0.374*eV 0.432*eV 0.49*eV 0.548*eV 0.606*eV 0.664*eV 0.722*eV 0.78*eV 0.838*eV 0.896*eV 0.954*eV 1.012*eV 1.07*eV 1.128*eV 1.186*eV 1.244*eV 1.302*eV 1.36*eV 1.418*eV 1.476*eV 1.534*eV 1.592*eV 1.65*eV 1.708*eV 1.766*eV 1.824*eV 1.882*eV 1.94*eV 1.998*eV 2.056*eV 2.114*eV 2.172*eV 2.23*eV 2.288*eV 2.346*eV 2.404*eV 2.462*eV 2.52*eV 2.578*eV 2.636*eV 2.694*eV 2.752*eV 2.81*eV 2.868*eV 2.926*eV 2.984*eV 3.042*eV 3.1*eV 3.158*eV 3.216*eV 3.274*eV 3.332*eV 3.39*eV 3.448*eV 3.506*eV 3.564*eV 3.622*eV 3.68*eV 3.738*eV 3.796*eV 3.854*eV 3.912*eV 3.97*eV 4.028*eV 4.086*eV 4.144*eV 4.202*eV 4.26*eV 4.318*eV 4.376*eV 4.434*eV 4.492*eV 4.55*eV 4.608*eV 4.666*eV 4.724*eV 4.782*eV 4.84*eV 4.898*eV 4.956*eV 5.014*eV 5.072*eV 5.13*eV 5.188*eV 5.246*eV 5.304*eV 5.362*eV 5.42*eV 5.478*eV 5.536*eV 5.594*eV 5.652*eV 5.71*eV 5.768*eV 5.826*eV 5.884*eV 5.942*eV 6*eV
  RINDEX 1.235 1.352 1.392 1.411 1.422 1.429 1.434 1.437 1.44 1.442 1.444 1.445 1.446 1.447 1.448 1.449 1.449 1.45 1.45 1.451 1.452 1.452 1.453 1.453 1.454 1.454 1.455 1.455 1.456 1.456 1.457 1.457 1.458 1.459 1.459 1.46 1.46 1.461 1.461 1.462 1.463 1.463 1.464 1.465 1.466 1.466 1.467 1.468 1.469 1.469 1.47 1.471 1.472 1.473 1.474 1.474 1.475 1.476 1.477 1.478 1.479 1.48 1.481 1.482 1.483 1.485 1.486 1.487 1.488 1.489 1.49 1.492 1.493 1.494 1.496 1.497 1.498 1.5 1.501 1.503 1.504 1.506 1.507 1.509 1.511 1.512 1.514 1.516 1.518 1.519 1.521 1.523 1.525 1.527 1.529 1.531 1.533 1.535 1.538 1.54 1.542